Рубрика: Toshiba Semiconductor and Storage

IXGT64N60B3: Подробные характеристики и руководство по применению от IXYS Получите высококачественные транзисторы IXGT64N60B3 от IXYS, разработанные для эффективного преобразования и управления энергией. Описание продукта и ключевые характеристики Транзистор IXGT64N60B3 представляет собой одноканальный IGBT (изолированный биполярный транзистор с изолированным затвором) от IXYS, предназначенный для применений, требующих высокой производительности и надежности. Его ключевые особенности включают высокую скорость…

IXGT64N60B3: Подробные характеристики и руководство по применению транзисторов IXYS Ищете надежные и эффективные IGBT-транзисторы? Ознакомьтесь с IXGT64N60B3 от IXYS – компонентом, разработанным для оптимизации преобразования и управления энергией. Этот одноканальный IGBT-транзистор идеально подходит для инженеров, специалистов по продажам и всех, кто работает в индустрии электронных компонентов. Описание продукта и ключевые характеристики IXGT64N60B3 представляет собой высокопроизводительный…

IXGT15N120C IXYS Транзисторы — IGBT — Одиночные: Подробные характеристики и руководство по применению Получите высококачественные транзисторы IXGT15N120C от IXYS, предназначенные для эффективного преобразования и управления энергией. Описание продукта и ключевые спецификации IXGT15N120C – это одноканальный IGBT-транзистор от IXYS, разработанный для применения в силовых цепях. Он отличается высокой скоростью переключения, низким напряжением насыщения (V_CE(sat)) и отличной…

IXST15N120B IXYS Транзисторы — IGBT — Одиночные: Подробные характеристики и руководство по применению Приобретайте высококачественные транзисторы IXST15N120B от IXYS, разработанные для эффективного преобразования и управления питанием. Описание продукта и ключевые спецификации IXST15N120B — это транзистор типа IGBT (изолированный биполярный транзистор с управляющим p-n переходом) от IXYS, который сочетает в себе преимущества MOSFET и биполярных транзисторов.…

Вот статья про IXGK35N120B: IXGK35N120B IXYS Транзисторы — IGBT — Одиночные: Подробные Спецификации и Руководство по Применению Ищете высококачественные транзисторы IXGK35N120B от IXYS для эффективного преобразования и управления мощностью? Вы пришли по адресу. Описание Продукта и Ключевые Спецификации IXGK35N120B — это мощный IGBT-транзистор (Isolated Gate Bipolar Transistor) от IXYS, разработанный для требовательных приложений. Он обладает…

IXGH28N60A3: Подробное руководство по спецификациям и применению силовых IGBT-транзисторов IXYS Вам нужны высокопроизводительные транзисторы IXGH28N60A3 от IXYS? Эти одноканальные IGBT-транзисторы разработаны для обеспечения высокой эффективности преобразования и управления энергией, являясь идеальным выбором для профессионалов электронной промышленности. Описание продукта и ключевые характеристики IXGH28N60A3 представляет собой мощный IGBT-транзистор, отличающийся высокой скоростью переключения и низкими потерями. Его конструкция…

IXYP30N65B3D1: Детальные спецификации и руководство по применению транзисторов IXYS IGBT Если вы ищете надежные и эффективные решения для преобразования и управления энергией, то транзистор IXYP30N65B3D1 от IXYS — это именно то, что вам нужно. Этот мощный IGBT-транзистор (Isolated Gate Bipolar Transistor) разработан для обеспечения высокой производительности в требовательных приложениях. Описание продукта и ключевые спецификации IXYP30N65B3D1…

IXGK300N60B3: Детальные характеристики и руководство по применению от IXYS Приобретайте высококачественные транзисторы IXGK300N60B3 от IXYS, разработанные для эффективного преобразования и управления энергией. Описание продукта и ключевые спецификации IXGK300N60B3 IGBT-транзистор IXGK300N60B3 от IXYS представляет собой одноканальный IGBT-модуль, отличающийся высокой пропускной способностью и низким напряжением насыщения. Этот компонент идеально подходит для приложений, требующих высокой эффективности и надежности.…

IXGK120N60B3: Подробные характеристики и руководство по применению от IXYS Ищете высококачественные транзисторы IXGK120N60B3 от IXYS? Эти одноканальные IGBT-транзисторы разработаны для эффективного преобразования и управления энергией, что делает их идеальным выбором для инженеров и специалистов в области электронных компонентов. Описание продукта и ключевые характеристики IXGK120N60B3 представляет собой мощный IGBT-транзистор, отличающийся низким напряжением насыщения (Vce(sat)) и высокой…

IXGP28N60A3M от IXYS: Подробные характеристики и руководство по применению Ищете надежные и высокопроизводительные компоненты для ваших силовых систем? Получите транзисторы IXGP28N60A3M от IXYS – одноканальные IGBT-транзисторы, разработанные для эффективного преобразования и управления энергией. Эти компоненты станут отличным выбором для инженеров, закупщиков и менеджеров по продажам в индустрии электронных компонентов, ищущих оптимальные решения для своих проектов.…