IXFT26N50: Подробные спецификации и руководство по применению от IXYS
Ищете надежные и высокопроизводительные транзисторы? Получите качественные транзисторы IXFT26N50 от IXYS, разработанные для эффективного преобразования и управления мощностью. Этот MOSFET-транзистор одинарного типа идеально подходит для широкого спектра применений в электронной промышленности.
Описание продукта и ключевые спецификации
IXFT26N50 представляет собой мощный N-канальный MOSFET, отличающийся низким сопротивлением открытого канала (RDS(on)) и высокой частотой коммутации. Его конструкция обеспечивает превосходную теплоотдачу, что критически важно для приложений с высокой нагрузкой. Основные характеристики включают напряжение сток-исток (Vds) 500 В, ток стока (Id) 26 А и низкое напряжение затвора (Vgs) для удобства управления. Эти параметры делают его отличным выбором для разработчиков, стремящихся к максимальной производительности и надежности.
Boost Your Sourcing Power with ICHOME
Сценарии применения IXFT26N50
Благодаря своим выдающимся характеристикам, IXFT26N50 находит широкое применение в различных областях. Он идеально подходит для использования в импульсных источниках питания (SMPS), схемах коррекции коэффициента мощности (PFC), инверторах, а также в системах управления двигателями. Его высокая скорость переключения и низкие потери энергии способствуют повышению общей эффективности устройств, таких как блоки питания для серверов, промышленные приводы и системы возобновляемой энергетики.
Заключение
Выбор мощных модулей IXYS, таких как IXFT26N50, гарантирует повышение энергоэффективности и надежности ваших систем. Этот транзистор является свидетельством приверженности IXYS инновациям и качеству в области силовых полупроводников, предоставляя инженерам и специалистам в электронной промышленности надежное решение для самых требовательных задач.



























